SI7888DP-T1-E3

Vishay | 单端场效应管

制造厂商：Vishay（威世）

功能简述：MOSFET N-CH 30V 9.4A PPAK SO-8

原厂封装：PowerPAK

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Vishay威世半导体原厂型号：SI7888DP-T1-E3

制造商：Vishay Siliconix

描述：MOSFET N-CH 30V 9.4A PPAK SO-8

系列：TrenchFET

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压 (Vdss)：30V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：9.4A（Ta）

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：12 毫欧 @ 12.4A，10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：10.5nC @ 5V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：-

功率 - 最大值：1.8W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：PowerPAK SO-8

供应商器件封装：PowerPAK SO-8

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SI7888DP-T1-E3供应商-耐智电子

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