SI7980DP-T1-E3

Vishay | 场效应管阵列

制造厂商：Vishay（威世）

功能简述：MOSFET 2N-CH 20V 8A PPAK SO-8

原厂封装：PowerPAK

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Vishay威世半导体原厂型号：SI7980DP-T1-E3

制造商：Vishay Siliconix

描述：MOSFET 2N-CH 20V 8A PPAK SO-8

系列：TrenchFET

FET 类型：2 个 N 通道（半桥）

FET 功能：标准

漏源极电压 (Vdss)：20V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：8A

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：22 毫欧 @ 5A，10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：27nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：1010pF @ 10V

功率 - 最大值：19.8W，21.9W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：PowerPAK SO-8 双

供应商器件封装：PowerPAK SO-8 Dual

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