SI8416DB-T1-GE3

Vishay | 单端场效应管

制造厂商：Vishay（威世）

功能简述：MOSFET N-CH 8V 16A MICRO

原厂封装：6-microfoot

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Vishay威世半导体原厂型号：SI8416DB-T1-GE3

制造商：Vishay Siliconix

描述：MOSFET N-CH 8V 16A MICRO

系列：TrenchFET

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：逻辑电平栅极，1.2V 驱动

漏源极电压 (Vdss)：8V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：16A（Tc）

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：23 毫欧 @ 1.5A，4.5V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：800mV @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：26nC @ 4.5V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：1470pF @ 4V

功率 - 最大值：13W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：6-UFBGA

供应商器件封装：6-microfoot

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