SI8429DB-T1-E1

Vishay | 单端场效应管

制造厂商：Vishay（威世）

功能简述：MOSFET P-CH 8V 11.7A 2X2 4-MFP

原厂封装：4-Microfoot

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Vishay威世半导体原厂型号：SI8429DB-T1-E1

制造商：Vishay Siliconix

描述：MOSFET P-CH 8V 11.7A 2X2 4-MFP

系列：TrenchFET

FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压 (Vdss)：8V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：11.7A（Tc）

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：35 毫欧 @ 1A，4.5V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：800mV @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：26nC @ 5V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：1640pF @ 4V

功率 - 最大值：6.25W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：4-XFBGA，CSPBGA

供应商器件封装：4-Microfoot

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SI8429DB-T1-E1供应商-耐智电子

Vishay

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