SI8472DB-T2-E1

Vishay | 单端场效应管

制造厂商：Vishay（威世）

功能简述：MOSFET N-CH 20V 3.3A MICRO

原厂封装：6-Micro

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Vishay威世半导体原厂型号：SI8472DB-T2-E1

制造商：Vishay Siliconix

描述：MOSFET N-CH 20V 3.3A MICRO

系列：TrenchFET

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压 (Vdss)：20V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：-

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：44 毫欧 @ 1.5A， 4.5V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：900mV @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：18nC @ 8V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：630pF @ 10V

功率 - 最大值：780mW

安装类型：表面贴装

封装/外壳：6-UFBGA

供应商器件封装：6-Micro Foot

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