SI8806DB-T2-E1

Vishay | 单端场效应管

制造厂商：Vishay（威世）

功能简述：MOSFET N-CH 12V MICROFOOT

原厂封装：4-Microfoot

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Vishay威世半导体原厂型号：SI8806DB-T2-E1

制造商：Vishay Siliconix

描述：MOSFET N-CH 12V MICROFOOT

系列：TrenchFET

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压 (Vdss)：12V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：-

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：43 毫欧 @ 1A， 4.5V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：17nC @ 8V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：-

功率 - 最大值：500mW

安装类型：表面贴装

封装/外壳：4-XFBGA

供应商器件封装：4-Microfoot

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