SI8851EDB-T2-E1

Vishay | 单端场效应管

制造厂商：Vishay（威世）

功能简述：MOSFET P-CH 20V 7.7A MICRO FOOT

原厂封装：Power

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Vishay威世半导体原厂型号：SI8851EDB-T2-E1

制造商：Vishay Siliconix

描述：MOSFET P-CH 20V 7.7A MICRO FOOT

系列：TrenchFET

FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压 (Vdss)：20V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：7.7A（Ta）

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：8 毫欧 @ 7A， 4.5V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：180nC @ 8V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：6900pF @ 10V

功率 - 最大值：660mW

安装类型：表面贴装

封装/外壳：30-XFBGA

供应商器件封装：Power Micro Foot

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