SIHW30N60E-GE3

Vishay | 单端场效应管

制造厂商：Vishay（威世）

功能简述：MOSFET N-CH 600V 29A TO-247AD

原厂封装：TO-247AD

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Vishay威世半导体原厂型号：SIHW30N60E-GE3

制造商：Vishay Siliconix

描述：MOSFET N-CH 600V 29A TO-247AD

系列：-

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：标准

漏源极电压 (Vdss)：600V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：29A（Tc）

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：125 毫欧 @ 15A，10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：130nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：2600pF @ 100V

功率 - 最大值：250W

安装类型：通孔

封装/外壳：TO-3P-3 整包

供应商器件封装：TO-247AD

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