SIS330DN-T1-GE3

Vishay | 单端场效应管

制造厂商：Vishay（威世）

功能简述：MOSFET N-CH 30V 35A 1212-8

原厂封装：PowerPAK

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Vishay威世半导体原厂型号：SIS330DN-T1-GE3

制造商：Vishay Siliconix

描述：MOSFET N-CH 30V 35A 1212-8

系列：TrenchFET

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：标准

漏源极电压 (Vdss)：30V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：35A（Tc）

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：5.6 毫欧 @ 10A， 10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：35nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：1300pF @ 15V

功率 - 最大值：52W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：PowerPAK 1212-8

供应商器件封装：PowerPAK 1212-8

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SIS330DN-T1-GE3供应商-耐智电子

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