SUP85N10-10-GE3

Vishay | 单端场效应管

制造厂商：Vishay（威世）

功能简述：MOSFET N-CH 100V 85A TO220AB

原厂封装：TO-220AB

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Vishay威世半导体原厂型号：SUP85N10-10-GE3

制造商：Vishay Siliconix

描述：MOSFET N-CH 100V 85A TO220AB

系列：TrenchFET

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压 (Vdss)：100V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：85A（Tc）

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：10.5 毫欧 @ 30A，10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：3V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：160nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：6550pF @ 25V

功率 - 最大值：3.75W

安装类型：通孔

封装/外壳：TO-220-3

供应商器件封装：TO-220AB

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SUP85N10-10-GE3供应商-耐智电子

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