旺宏电子(Macronix)将於5月18日至5月21日参加2014年IEEE国际记忆体研讨会(International Memory Workshop，简称IMW)。IMW今年首度在台举办，会中将讨论近年来记忆体领域最关注的先进技术如3D NAND、PCRAM、MRAM、ReRAM等先进记忆体技术。
活动名称 : 2014 IEEE国际记忆体研讨会(IMW)
活动日期 : 2014/05/18 - 2014/05/21
活动地点 : 台北, 台湾
活动会场 : 台北晶华酒店
旺宏多年来一直致力於记忆体技术的研发创新，每年在不同国际记忆体研发领域都曾发表多篇论文并入选；今年，除协助IEEE在台承办研讨会相关事务外，持有旺宏电子代理证的代理商也将於IMW中发表2篇论文专题演讲，聚焦讨论旺宏於3D NAND Flash自行研发、获全球瞩目的创新技术及重要突破：
演讲时间: 5月18日 星期日9:10am
演讲主题: 3D Vertical Gate NAND Device & Architecture
演讲时间: 5月21日 星期三2:00pm
演讲主题: Trapping-free String Select Transistors and Ground Select Transistors for VG-type 3D NAND Flash Memory
IMW 主要由IEEE国际电子元件会议赞助，於每年5月举行年度会议。此会议主要目的在於提供记忆体產业(非挥发性记忆体和挥发性记忆体)的专家学者一个互相交流的平台。随著云端市场以及海量数据时代的兴起，记忆体技术的层面逐渐转进运用控制器强化以及智慧管理；这个契机，造就了记忆体另一波的需求潮，相对的也使得记忆体技术开发面临更高的挑战。因而，近年来，IMW与会人数逐年增加，约已达到平均200人之规模，主要来自北美、欧洲、日本及亚洲等国家，且每年有逾80篇以上的投稿论文，约35篇会在会议中以口头方式发表，主题涵盖元件物理、硅製程、產品测试和新技术。IMW衍然已成微电子及半导体业年度盛会之一。