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  • 恩智浦发布NextPower系列首款30V Power-SO8 MOSFET
    编辑:NXP代理 [ 2014/11/29 ] 文章来源:NXP官网
    恩智浦发布NextPower系列首款30V Power-SO8 MOSFET恩智浦半导体公司(Nasdaq: NXPI)今天发布了NextPower系列首款30V Power-SO8 MOSFET,具有业界最低RDSon,4.5V时仅为1.4mΩ。全新的MOSFET器件PSMN1R0-30YLC,专门针对4.5V开关应用优化,采用LFPAK封装,这是目前业界最牢固的Power-SO8封装。NextPower技术已专门优化用于高性能DC-DC转换应用,例如隔离电源和电源OR-ing中的同步降压调节器、同步整流器。
    技术要点:
    特性和优势:
    ○先进的NextPower技术,针对4.5V栅极驱动应用进行了优化,提供低RDson
    ○Power-SO8封装确保高可靠性,温度最高可达175C
    ○超低QG、QGD和QOSS确保高系统效率
    PSMN1R0-30YLC现已供货,万片订量每片价格为1.07美元。
    PSMN1R0-30YLC是NextPower LFPAK系列25V和30V MOSFET的首款产品,全系列产品将在未来几个月陆续推出。
    积极评论:
    持有恩智浦代理证的代理商营销经理Charles Limonard表示:“恩智浦NextPower系列MOSFET将帮助设计者实现高性能(高效率)、小尺寸和低成本。恩智浦致力于开发和创新,持续改善导通电阻RDSon、开关速度和热效率等关键参数,从而推出具有世界领先水平的MOSFET器件。”
    Limonard还表示,“PSMN1R0-30YLC具有领先同类器件的超低RDSon,可显著降低功耗;这反过来能提高新一代电子产品的能效,能效等级更高但尺寸更小。”
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