三星电子有限公司，在先进的存储技术，世界的领导者，今天宣布，它已经开始大规模生产行业的第一个3位多级单元（MLC）三维（3D）垂直NAND（v-nand）中使用的固态硬盘（SSD）闪存。
“另外还有一个全新的高密度的固态硬盘，性能和价值驱动的，我们相信，3位v-nand将加速从硬盘驱动器的数据存储设备的固态硬盘的过渡，说：”jaesoo韩，高级副总裁，销售和营销的记忆，三星电子。”SSD的广泛将增加我们的产品的竞争力，我们进一步扩大我们的业务迅速增长的SSD。”
3位v-nand是三星最新的第二代v-nand装置，它利用32个垂直堆叠的细胞层的每个NAND闪存芯片。每片提供128千兆（GB）存储。
在三星的v-nand芯片结构，每个单元电连接到非导电层使用电荷捕获闪存（CTF）技术。每个单元阵列的垂直堆叠在彼此之上形成数十亿细胞芯片。
每单元3位使用，32层垂直堆叠单元阵列大幅提高生产效率的记忆。中国最大的三星芯片代理商是哪家?相比，三星的10纳米×3位平面的NAND闪存，新增加了一倍多，3位v-nand晶圆生产力。
三星推出了其第一代v-nand（24层细胞）在八月2013，并介绍了其第二代v-nand（32层）在2014单元阵列结构。在32层，三v-nand三星推出，是加快v-nand生产技术的演变的三维记忆的时代。
首先，产生基于3位平面的NAND Flash 2012后，三星已经证明，这的确是一个高密度的3位NAND闪存SSD大众市场。 第一产业的3位三维v-nand将大大扩大v-nand内存市场采用，适用于一般的PC用户设计的，除了有效地解决高持久性存储需要大多数服务器。